三星的芯片制造突破 - 彭博社

韩国三星电子在9月11日发布了一种新型半导体，该技术使得公司声称每年可以将 闪存芯片 的容量翻倍。这款新的32吉比特（Gb）NAND是首款应用所谓的电荷捕获闪存（CTF）架构的芯片，这项技术使得芯片制造商能够在宽度为人类头发的1/3000的线路上打印电路。

三星总裁黄章圭表示，内存芯片行业在最先进的芯片上将线路缩减到50纳米以下一直面临困难，但CTF使他的公司能够将其推至40纳米。他表示，CTF意味着三星可以在几年内进一步将电路线路缩减到20纳米。使用更薄的加工技术意味着单个芯片可以缩小。换句话说，每个晶圆可以切割出更多的芯片，从而降低芯片成本。

黄章圭表示，CTF架构取代了传统的浮栅架构，通过大幅降低单元间噪声水平，提高了闪存芯片的可靠性。它还减少了20%的芯片加工步骤，这将进一步降低成本。32-Gb芯片的大规模生产使得64吉字节内存卡的市场化成为可能，足够存储大约40部电影。