美国对中国施加压力，韩国在存储芯片领域的主导地位有望增强 - 彭博社

韩国有望在全球存储芯片市场上扩大对中国的主导地位，因为美国的出口管制改变了半导体供应链的动态，一家领先的行业预测机构预测。

根据总部位于台湾的科技研究机构TrendForce的预测，韩国在DRAM芯片的全球产量份额可能会在2023年达到64%，在数年间一直持平后有所上升。与此同时，中国的份额将下降到14%，因为多年来的增长势头逆转，该公司预测。其数据基于各个芯片制造商的计划。

中国遭遇困境

韩国DRAM份额再次上升，中国下滑

来源：TrendForce

* 从2023年开始的预测

三星电子、SK海力士和美光科技主导着全球存储市场，尽管近年来中国的玩家如扬子存储和长鑫存储以快速的速度扩大了产能。DRAM，即动态随机存取存储器，在数字存储市场中是至关重要的明星产品，在一个由人工智能和自动驾驶汽车等数据密集型技术推动的全球经济中具有越来越重要的地位。

中国的份额近年来一直在上升。但是在2022年10月，美国宣布了广泛的管制措施，使得中国的半导体生产商（包括韩国SK海力士运营的无锡工厂，全球第二大存储芯片制造商）更难获取设备并扩大生产。

SK Hynix在中国生产的DRAM芯片大约占一半。根据彭博智库分析师Masahiro Wakasugi和Ian Ma的说法，到2030年，这一份额可能会降至约40%，因为美国的限制掣肘了产能扩张。

接近但不再增加

中国在Nand闪存生产份额上几乎赶上了韩国

来源：TrendForce

韩国的NAND闪存芯片生产也有望得到提升，尽管可能需要再等一年。据TrendForce称，该国的全球产量份额可能会在今年降至33%，然后在2025年回升至43%。中国去年的份额大幅增长，但预计将在2023年达到顶峰，然后下降，该公司预测。

在存储芯片这一战略性和利润丰厚的市场上存在日益减少将是明显的证据，表明美国的经济压力正在对中国产生影响，减缓了其在对国家竞争力至关重要的技术方面的进展。

尽管北京正在向这一领域投入资金，但据彭博智库估计，中国可能还需要五到十年的时间才能用自己的设备制造先进的DRAM。

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