特斯拉（TSLA）分析师在测试“全自动驾驶”时险些发生事故 - 彭博报道

摄影师：David Paul Morris三星电子公司在开发人工智能市场关键性内存芯片方面遭遇一系列挫折后，开始在缩小与竞争对手SK海力士公司之间的差距方面取得进展。

三星在其复苏过程中取得了重要进展，包括获得人们熟悉的消息人士称，AI巨头Nvidia公司已批准其高带宽内存芯片HBM3的一个版本。这些人士称，他们预计下一代HBM3E将在两到四个月内获得批准，他们要求不透露身份以讨论内部发展情况。

这些进展是在经历了数月的挫折之后取得的，包括开发失误导致规模较小的SK海力士在快速增长的领域中取得巨大领先优势。对于韩国最大公司来说，陷入这种追赶的境地是不寻常的，也是令人羞辱的。历史上，三星一直在内存芯片市场中处于领先地位，利用其规模和工程专业知识。随着公司在HBM领域的挣扎，它采取了非常不寻常的举措，于五月更换了半导体部门的负责人。

“我们从未见过三星处于这种位置，”Tirias Research的分析师Jim McGregor说。“整个行业，尤其是Nvidia，更需要三星，但他们需要三星全力以赴。”

公司拒绝就任何具体合作伙伴发表评论，但表示总体上，公司正在与客户密切合作，测试进展顺利。

三星最新的成就可能将使该公司能够利用人工智能产品需求激增的机会。摩根士丹利表示，HBM市场预计从去年的40亿美元增长到2027年的710亿美元。三星越快得到人工智能加速器领导者英伟达的认可，就能从这一增长中获得更多收入。

人工智能存储器繁荣

高带宽存储器芯片的需求预计将飙升

来源：摩根士丹利

摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在本月的研究报告中写道：“投资者对三星的看法可能很快会发生变化。事情正在迅速改善。”

他们在报告中将三星列为他们的首选股票，因为他们认为该公司在2025年至少能够获得10%的增量HBM市场份额，增加约40亿美元的收入。尽管在这一领域仍将落后于SK海力士，但这一进展可能改变投资者的看法并提振股价。

三星在本周三公布最终第二季度收益时，可能会面临关于其HBM战略的问题。目前尚不清楚公司将提供多少细节。

三星电子的李在镕在二月抵达首尔中央地方法院。摄影师：SeongJoon Cho/Bloomberg尽管三星似乎正在朝着11月获得英伟达认可的目标迈进，但该公司仍在努力解决某些问题，鉴于人工智能芯片的复杂性，结果难以预测。据知情人士称，有可能时间表会推迟至2025年。

三星在一个不同寻常的时期犯了错误。执行主席李在镕花了多年时间与检察官就贿赂和腐败指控进行斗争，与此同时，高层领导并未将HBM视为优先事项。事实上，市场直到2022年底OpenAI推出ChatGPT并引发对用于训练AI模型的Nvidia芯片的需求狂潮之前，都只是一个舍入误差。

虽然SK海力士已经为这股潮流做好了准备，但三星在新芯片的复杂工程问题上遇到了困难。HBM由一堆堆叠在一起的DRAM芯片组成，最近一代高度为八层。每一层都会产生大量热量，然后它们与Nvidia的图形处理单元或GPU一起打包，GPU本身的温度可以达到100摄氏度。整个堆栈如果没有适当的散热和冷却材料，就有融化的风险。

“随着层数的增加，开发合理产量的挑战变得更加困难，”彭博智库分析师杰克·席尔瓦曼说。“问题在于热量：因为它是堆叠的DRAM，所以会发热。而且它与运行更热的GPU非常接近。”

据一位不愿透露姓名的知情人士透露，三星在解决这种所谓的热耦合问题上遇到了困难。五月份，该公司采取了激烈的行动：宣布半导体部门负责人郑京贤将卸任，由全荣贤接任。

全荣贤于2000年加入三星，帮助开发了其DRAM和闪存芯片，迅速加大了解决问题的压力。这位63岁的全荣贤召集了一系列会议，探讨技术细节，找出问题的根本原因。在一次持续数小时没有休息的会议中，他对HBM可能是更广泛问题的一部分表示遗憾，一位知情人士透露。

三星冒着不仅在存储芯片技术方面落后，而且在创新紧迫性方面落后的风险。为了促进合作，他重新组织了专门负责HBM的团队，并任命了一位新负责人。

三星采用一种名为热压缩非导电膜（TC-NCF）的热管理策略，用于隔离每一层DRAM。另一方面，SK海力士开创了一种改进散热和提高生产产量的替代方案。

然而，三星选择坚持使用TC-NCF并改进它，而不是考虑其他方法。一位公司发言人表示，TC-NCF是一种“经过充分验证的技术”，将在未来产品中使用。

最终，据知情人士称，该公司修改了HBM设计以解决加热和功耗问题。这导致了HBM3获得了英伟达的批准。

三星表示，自接任以来，俊一直将公司的集体讨论文化和解决问题的坚持放在首位。公司补充说，在我们的HBM产品中，“没有与加热和功耗有关的问题”，并且“没有为特定客户进行设计更改”。

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三星的救命稻草可能在于人工智能的增长前景。像微软公司、谷歌母公司字母表公司、亚马逊公司、苹果公司和Meta平台公司等科技公司都在投入巨资发展自己的能力。

根据其季度报告的详细信息，三星自去年下半年以来一直在生产HBM3芯片。像谷歌这样设计自己芯片能力的公司预计将在今年大部分时间继续使用HBM3。三星已开始向Nvidia供应HBM3，用于其H20芯片，这是为中国定制的产品，以满足美国的出口管制。

至于HBM3E技术，今年首次进入市场，Nvidia将SK海力士芯片与其自家的H200配对。根据桑福德C.伯恩斯坦分析师在七月份的报告中所说，Nvidia将在2025年之前几乎所有产品中继续使用HBM3E，芯片竞争对手甚至会在2026年继续使用它。

HBM3E摄影师：SeongJoon Cho/Bloomberg“三星虽然晚了，但HBM3E的机会之窗仍将为三星提供追赶的机会，”由马克·李领导的分析师们写道。

作为其迟到的迹象，美光科技公司今年早些时候宣布，Nvidia已批准其HBM3E芯片用于公司的人工智能设备。美光在某些内存制造和产品推出领域取得领先地位，这进一步显示了三星主导地位的侵蚀。

三星拥有的一个显著优势是其财力和生产能力。一旦符合Nvidia的批准标准，它可以迅速增加产量，解决一直以来困扰Nvidia和其他人工智能倡导者的短缺问题。

彭博智库的Silverman表示：“美光和海力士目前还没有足够的产能来支持整个市场。” Nvidia首席执行官黄仁勋“希望鼓励它们”，因为他需要更多的供应，他补充道。

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来源：彭博社

SK海力士并未放松。它处于一种罕见的位置，从其备受关注的竞争对手那里夺得了风头 —— 其股价自2023年初以来已飙升超过150%，是三星表现的三倍以上。

SK海力士上周表示，正在加快生产HBM3E产品，以实现超过300%的增长。该公司还表示计划在本季度大规模生产下一代12层HBM3E芯片，并在第四季度开始向客户供货，这很可能表明Nvidia的认证即将到来。

在Jun的领导下，三星正在取得进展。它开发了自己的12层HBM3E技术，并正努力获得Nvidia对该代芯片以及8层HBM3E的批准。这表明了市场的潜力。

摩根士丹利分析师写道：“根据我们的估计，到2027年，这将是一个价值710亿美元的收入机会，而且还在增长，而两年前根本不存在这种机会。”“三星面临的关键争论是，它是否能够作为Nvidia的强大第二来源执行。”

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