独家：消息人士称，三星将采用SK海力士青睐的芯片制造技术，随着人工智能芯片竞赛的升温| 路透社

人们在拉斯维加斯，内华达州，美国参加CES 2024期间经过三星电子展台，这是一年一度的消费电子交易展览。2024年1月9日。路透社/史蒂夫·马库斯/文件照片首尔，3月13日（路透社）- 三星电子(005930.KS)计划使用竞争对手SK海力士倡导的芯片制造技术，五人表示，作为全球顶尖的存储芯片制造商，三星寻求在生产用于驱动人工智能的高端芯片的竞赛中赶上。随着生成式人工智能的普及，对高带宽存储器（HBM）芯片的需求激增。但与同行SK海力士(000660.KS)和美光科技(MU.O)不同，三星在与AI芯片领导者英伟达(NVDA.O)达成任何交易以供应最新的HBM芯片方面一直缺席。分析师和行业观察者表示，三星落后的原因之一是其决定坚持使用称为非导电膜（NCF）的芯片制造技术，这导致了一些生产问题，而海力士则转向了质量回流模压下填充（MR-MUF）方法来解决NCF的弱点。

然而，据三位直接了解此事的消息人士透露，三星最近已经发布了用于处理MUF技术的芯片制造设备采购订单。

“三星不得不采取措施来提高其HBM（生产）产量…采用MUF技术对三星来说有点像是一种放下身段的事情，因为它最终采用了SK海力士首先使用的技术，“消息人士之一说。

根据几位分析师的说法，三星的HBM3芯片生产产量约为10-20%，而SK海力士的HBM3生产已经获得了约60-70%的产量率。

HBM3和HBM3E是最新版本的HBM芯片，需求量很大。它们与核心微处理器芯片捆绑在一起，帮助处理大量的生成式人工智能数据。

一位消息人士表示，三星还在与包括日本长谷等材料制造商进行谈判，以采购MUF材料，补充说，使用MUF进行高端芯片的大规模生产可能要等到明年最早，因为三星需要进行更多测试。三位消息人士还表示，三星计划为其最新的HBM芯片同时使用NCF和MUF技术。

三星表示，其内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于其新的HBM3E芯片中。三星在一份声明中表示：“我们正在按计划开展HBM3E产品业务。”

英伟达和长谷拒绝置评。

所有消息来源都要求匿名，因为这些信息不是公开的。

三星计划使用MUF凸显了其在人工智能芯片竞赛中面临的日益增加的压力，根据研究公司TrendForce的数据，HBM芯片市场今年预计将增长一倍以上，达到近90亿美元，受到与人工智能相关的需求的推动。

NCF VERSUS MUF

非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛使用，以在紧凑的高带宽内存芯片组中堆叠多层芯片，利用热压缩薄膜有助于减少堆叠芯片之间的空间。

但随着添加更多层次，粘合材料常常会出现问题，制造变得更加复杂。三星表示其最新的HBM3E芯片有12层芯片。芯片制造商一直在寻找替代方案来解决这些弱点。

SK海力士成功地在其他公司之前转向了大规模回流模压填充技术，成为首家向英伟达供应HBM3芯片的供应商。

根据KB证券分析师Jeff Kim的估计，SK海力士在HBM3和更先进的HBM产品中为英伟达的市场份额今年估计超过80%。

美光上个月加入了高带宽内存芯片竞赛，宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用，用于驱动后者的H200张量芯片，这些芯片将在第二季度开始发货。

根据四位消息人士之一和另一位了解讨论情况的人士的说法，三星的HBM3系列尚未通过英伟达的供货交易资格认证。

投资者也注意到了其在人工智能芯片竞赛中的挫折，其股价今年下跌了7%，落后于涨幅分别为17%和14%的SK海力士和美光。

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