SK海力士将在韩国投资38.6亿美元用于DRAM芯片生产 | 路透社

员工走过SK海力士（SK Hynix）总部的标志，位于韩国城南，2016年4月25日。路透社/金洪智/档案照片 首尔，4月24日（路透社）- 韩国存储芯片制造商SK海力士 (000660.KS)计划投资5.3万亿韩元（38.6亿美元）在韩国建立一个新的动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产基地，该公司周三表示。Nvidia (NVDA.O)供应商计划在4月底开始在名为M15X的芯片工厂进行建设，并计划在2025年11月前投入量产。包括计划逐步增加设备投资，公司声明称，新生产基地的总投资预计将在长期内超过20万亿韩元。

由于芯片行业低迷，去年SK海力士将年度投资削减了50%，并于去年10月表示，2024年的增长将保持最低水平。

尽管芯片制造商对限制投资持谨慎态度，但用于训练人工智能（AI）系统的图形处理单元（GPU）中使用的高带宽存储器（HBM）芯片的需求非常高，以至于公司现有产能今年和明年大部分时间都已被预订。

SK海力士表示，新的生产基地旨在增加DRAM产能，重点放在HBM上。

全球第二大内存芯片制造商预测HBM市场年增长率超过60%，通用DRAM需求稳步增长，以服务器高容量芯片产品为主。

SK海力士计划在周四公布1月至3月季度收益。

（1美元=1,371.84韩元）

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