中国公司在为人工智能芯片组生产高带宽内存方面取得进展 | 路透社

一面中国国旗展示在一个印刷电路板旁，电路板上有半导体芯片，图中显示的是2023年2月17日拍摄的插图。路透社/弗洛伦斯·罗/插图/档案照片新加坡/北京，5月15日（路透社）- 两家中国芯片制造商正在早期阶段生产用于人工智能芯片组的高带宽内存（HBM）半导体，消息来源和文件显示。

HBM的进展——即使只是旧版本的HBM——代表了中国在减少对外国供应商依赖方面的重大进展，尤其是在与华盛顿的紧张关系导致对中国公司的美国先进芯片出口限制的背景下。

中国最大的DRAM芯片制造商CXMT与芯片封装和测试公司通富微电合作开发了样品HBM芯片(002156.SZ)，据三位知情人士透露。这些芯片正在向客户展示，两位知情人士表示。通富微电的股票在周三交易中上涨了8%。

另一个例子是，武汉新芯正在建设一座工厂，能够每月生产3000片12英寸的HBM晶圆，文件显示建设预计于今年2月开始。

CXMT和其他中国芯片公司还定期与韩国和日本的半导体设备公司举行会议，以购买开发HBM的工具，两位知情人士表示。

消息来源未获授权对此事发言，并拒绝透露身份。总部位于合肥的CXMT（长鑫存储科技）和通富微电子未对评论请求作出回应。

武汉新芯已向监管机构表示有意上市，其母公司也未对评论请求作出回应。该母公司还是NAND存储专家YMTC（长江存储科技）的母公司。YMTC表示其没有能力大规模生产HBM。

CXMT和武汉新芯都是私营公司，已获得地方政府资金以推动技术发展，因为中国正在大量投资发展其芯片行业。

武汉地方政府也未对评论请求作出回应。

另外，中国科技巨头华为（HWT.UL）被美国视为国家安全威胁并受到制裁，计划到2026年与其他国内公司合作生产HBM2芯片，消息来源和一位知情人士透露。

《信息》在四月报道，华为领导的公司集团旨在制造HBM，包括福建晋华集成电路，这是一家同样受到美国制裁的存储芯片制造商。

华为在其Ascend AI芯片的需求激增的情况下，拒绝发表评论。目前尚不清楚华为从何处采购HBM。福建晋华未对评论请求作出回应。

漫长的旅程在前

HBM是一种DRAM标准，首次于2013年生产，芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，适合处理复杂AI应用产生的大量数据，需求在此期间激增。人工智能热潮。高带宽内存（HBM）市场由韩国的 SK海力士(000660.KS) 主导 - 直到最近，它是人工智能芯片巨头英伟达的唯一 HBM 供应商 (NVDA.O)，根据分析师的说法 - 以及 三星(005930.KS)，以及在较小程度上美国公司 美光科技 。 三家公司均制造最新标准 - HBM3 芯片 - 并正在努力在今年向客户推出第五代 HBM 或 HBM3E。根据两位消息来源和一位直接了解情况的人士的说法，中国目前的努力集中在 HBM2 上。

美国并没有对 HBM 芯片的出口施加限制，但 HBM3 芯片是使用美国技术制造的，许多中国公司，包括华为，因限制而被禁止访问这些技术。

白橡资本的投资总监 Nori Chiou 和一位曾研究 IT 领域的分析师估计，中国芯片制造商在 HBM 方面落后于全球竞争对手十年。

他说：“中国面临着相当大的挑战，因为它目前缺乏与韩国同行竞争的优势，即使在传统内存市场中也是如此。”

“尽管如此，（长电科技）的合作与通富代表了中国在 HBM 市场上提升其内存和先进封装技术能力的重要机会。”

由CXMT、通富和华为提交的专利表明，国内开发HBM的计划至少可以追溯到三年前，当时中国的芯片产业越来越成为美国出口管制的目标。

根据Anaqua的AcclaimIP数据库，CXMT在美国、中国和台湾提交了近130项与HBM芯片的制造和功能相关的不同技术问题的专利。其中，2022年发布了14项，2023年发布了46项，2024年发布了69项。

上个月发布的一项中国专利显示，该公司正在研究混合键合等先进封装技术，以创造更强大的HBM产品。另一项申请显示，CXMT还在投资开发创建HBM3所需的技术。

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